LM336BM-5.0 è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per LM336BM-5.0, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per LM336BM-5.0 via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista LM336BM-5.0 con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
LM336BM-5.0
- Modello di prodotti:
- LM336BM-5.0
- fabbricante:
- TI
- Descrizione:
- IC VREF SHUNT 5V 8SOIC
- Stato senza piombo:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- Quantità di magazzino:
- 51141 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- LM336BM-5.0.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - Uscita (min / fissa): | 5V |
| Tensione - Ingresso: | - |
| Tolleranza: | ±2% |
| Coefficiente di temperatura: | - |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SOIC |
| Serie: | - |
| Tipo di riferimento: | Shunt |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Tipo di uscita: | Fixed |
| Altri nomi: | *LM336BM-5.0 296-36336-5 LM336BM-5.0-ND LM336BM50 |
| temperatura di esercizio: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Rumore - da 10Hz a 10kHz: | - |
| Rumore - da 0.1Hz a 10Hz: | - |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Descrizione dettagliata: | Shunt Voltage Reference IC ±2% 10mA 8-SOIC |
| Corrente - Alimentazione: | - |
| Corrente - Uscita: | 10mA |
| Corrente - Catodo: | 600µA |
| Numero di parte base: | LM336 |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per LM336BM-5.0
Latest Notizie
- Qorvo ha lanciato le eccezionali preliminari 5G MMIMO ad alto livello del settore
- Inventario del ciclo di simulazione Sottomarcia, Ai guida la domanda di memoria flash continua
- Il piano di Micron di costruire una memoria di fabbrica, NAND Flash a prezzi o manutenzione elevati
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC