KZE16VB122M10X25LL è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per KZE16VB122M10X25LL, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per KZE16VB122M10X25LL via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista KZE16VB122M10X25LL con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
KZE16VB122M10X25LL
- Modello di prodotti:
- KZE16VB122M10X25LL
- fabbricante:
- Nippon Chemi-Con
- Descrizione:
- CAP ALUM 1200UF 20% 16V RADIAL
- Stato senza piombo:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- Quantità di magazzino:
- 44837 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- KZE16VB122M10X25LL.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - nominale: | 16V |
| Tolleranza: | ±20% |
| Montaggio superficiale Superficie Terreno: | - |
| Dimensioni / Dimension: | 0.394" Dia (10.00mm) |
| Serie: | KZE |
| Corrente di ondulazione @ Bassa frequenza: | 1.29A @ 120Hz |
| Corrente di ondulazione @ alta frequenza: | 2.15A @ 100kHz |
| Giudizi: | - |
| Polarizzazione: | Polar |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | Radial, Can |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 105°C |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Durata alla temp.: | 4000 Hrs @ 105°C |
| Distanza conduttori: | 0.197" (5.00mm) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Impedenza: | 22 mOhms |
| Altezza - In sede (max): | 0.984" (25.00mm) |
| ESR (Resistenza in serie equivalente): | - |
| Descrizione dettagliata: | 1200µF 16V Aluminum Electrolytic Capacitors Radial, Can 4000 Hrs @ 105°C |
| Capacità: | 1200µF |
| applicazioni: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per KZE16VB122M10X25LL
Latest Notizie
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato