JANTXV1N6336 è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per JANTXV1N6336, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per JANTXV1N6336 via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista JANTXV1N6336 con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
JANTXV1N6336
- Modello di prodotti:
- JANTXV1N6336
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- DIODE ZENER 33V 500MW DO35
- Stato senza piombo:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- Quantità di magazzino:
- 46052 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- JANTXV1N6336.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - Zener (Nom) (Vz): | 33V |
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 1.4V @ 1A |
| Tolleranza: | ±5% |
| Contenitore dispositivo fornitore: | DO-35 |
| Serie: | Military, MIL-PRF-19500/533 |
| Potenza - Max: | 500mW |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Altri nomi: | 1086-19896 1086-19896-MIL |
| temperatura di esercizio: | -65°C ~ 175°C |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 19 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Impedenza (Max) (zzt): | 40 Ohms |
| Descrizione dettagliata: | Zener Diode 33V 500mW ±5% Through Hole DO-35 |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr: | 50nA @ 25V |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per JANTXV1N6336
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
JANTXV1N6336US | Microsemi | DIODE ZENER 33V 500MW B-SQ MELF | Inchiesta |
|
JANTXV1N6338US | Microsemi | DIODE ZENER 39V 500MW B-SQ MELF | Inchiesta |
|
JANTXV1N6334US | Microsemi | DIODE ZENER 27V 500MW B-SQ MELF | Inchiesta |
 |
JANTXV1N6336C | Microsemi | DIODE ZENER 33V 500MW DO35 | Inchiesta |
|
JANTXV1N6333US | Microsemi | DIODE ZENER 24V 500MW B-SQ MELF | Inchiesta |
|
JANTXV1N6337 | Microsemi | DIODE ZENER 36V 500MW DO35 | Inchiesta |
 |
JANTXV1N6337US | Aeroflex (MACOM Technology Solutions) | DIODE ZENER 36V 500MW B SQ-MELF | Inchiesta |
|
JANTXV1N6341US | Microsemi | ZENER DIODE | Inchiesta |
|
JANTXV1N6332US | Microsemi | DIODE ZENER 22V 500MW B-SQ MELF | Inchiesta |
|
JANTXV1N6335 | Microsemi | DIODE ZENER 30V 500MW DO35 | Inchiesta |
|
JANTXV1N6339 | Microsemi | DIODE ZENER 43V 500MW DO35 | Inchiesta |
|
JANTXV1N6331 | Microsemi | DIODE ZENER 20V 500MW DO35 | Inchiesta |
|
JANTXV1N6332 | Microsemi | DIODE ZENER 22V 500MW DO35 | Inchiesta |
|
JANTXV1N6331US | Microsemi | DIODE ZENER 20V 500MW B-SQ MELF | Inchiesta |
|
JANTXV1N6335US | Microsemi | DIODE ZENER 30V 500MW B-SQ MELF | Inchiesta |
|
JANTXV1N6338 | Microsemi | DIODE ZENER 39V 500MW DO35 | Inchiesta |
|
JANTXV1N6339US | Microsemi | DIODE ZENER 43V 500MW B-SQ MELF | Inchiesta |
|
JANTXV1N6334 | Microsemi | DIODE ZENER 27V 500MW DO35 | Inchiesta |
|
JANTXV1N6337US | Microsemi | DIODE ZENER 36V 500MW B-SQ MELF | Inchiesta |
|
JANTXV1N6330DUS | Microsemi | DIODE ZENER 18V 500MW B-SQ MELF | Inchiesta |
Latest Notizie
- Il braccio è apparso in Computex 2024: si prevede che entro la fine del 2025 possono essere utilizzati oltre 100 miliardi di dispositivi ARM
- Qorvo ha lanciato le eccezionali preliminari 5G MMIMO ad alto livello del settore
- Inventario del ciclo di simulazione Sottomarcia, Ai guida la domanda di memoria flash continua
- Il piano di Micron di costruire una memoria di fabbrica, NAND Flash a prezzi o manutenzione elevati
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico