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JANTXV1N5419US
- Modello di prodotti:
- JANTXV1N5419US
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- DIODE GEN PURP 500V 3A B-MELF
- Stato senza piombo:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- Quantità di magazzino:
- 40223 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- JANTXV1N5419US.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 1.5V @ 9A |
| Tensione - inversa (Vr) (max): | 500V |
| Contenitore dispositivo fornitore: | D-5B |
| Velocità: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | Military, MIL-PRF-19500/411 |
| Tempo di ripristino inverso (trr): | 250ns |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | SQ-MELF, B |
| Altri nomi: | 1086-18927 1086-18927-MIL |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | -65°C ~ 175°C |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Tipo diodo: | Standard |
| Descrizione dettagliata: | Diode Standard 500V 3A Surface Mount D-5B |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr: | 1µA @ 500V |
| Corrente - raddrizzata media (Io): | 3A |
| Capacità a Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per JANTXV1N5419US
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
JANTXV1N5519BUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 3.6V 500MW DO213AA | Inchiesta |
|
JANTXV1N5518BUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 3.3V 500MW DO213AA | Inchiesta |
 |
JANTXV1N5518D-1 | Microsemi | DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 | Inchiesta |
 |
JANTXV1N5418 | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL | Inchiesta |
 |
JANTXV1N5420 | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL | Inchiesta |
|
JANTXV1N5519B-1 | Microsemi | DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35 | Inchiesta |
|
JANTXV1N5518CUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 3.3V 500MW DO213AA | Inchiesta |
|
JANTXV1N5419 | Microsemi | DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL | Inchiesta |
|
JANTXV1N5518B-1 | Microsemi | DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 | Inchiesta |
|
JANTXV1N5518C-1 | Microsemi | DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 | Inchiesta |
|
JANTXV1N5518DUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 3.3V 500MW DO213AA | Inchiesta |
 |
JANTXV1N5417 | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL | Inchiesta |
|
JANTXV1N5418US | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 3A D5B | Inchiesta |
|
JANTXV1N5415US | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 3A D5B | Inchiesta |
|
JANTXV1N5416US | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 3A D5B | Inchiesta |
|
JANTXV1N5415 | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL | Inchiesta |
 |
JANTXV1N5416 | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL | Inchiesta |
|
JANTXV1N5314-1 | Microsemi | DIODE CURRENT REG 100V AXIAL | Inchiesta |
|
JANTXV1N5417US | Microsemi | DIODE GEN PURP 200V 3A D5B | Inchiesta |
|
JANTXV1N5420US | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 3A D5B | Inchiesta |
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