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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-raddrizzatori-singolo > JANTXV1N1206A
JANTXV1N1206A
Modello di prodotti:
JANTXV1N1206A
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA
Stato senza piombo:
Contiene piombo / RoHS non conforme
Quantità di magazzino:
45084 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
JANTXV1N1206A.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Tensione - diretta (Vf) (max) a If:1.35V @ 38A
Tensione - inversa (Vr) (max):600V
Contenitore dispositivo fornitore:DO-203AA (DO-4)
Velocità:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie:Military, MIL-PRF-19500/260
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:DO-203AA, DO-4, Stud
Altri nomi:1086-16258
1086-16258-MIL
Temperatura di funzionamento - Giunzione:-65°C ~ 150°C
Tipo montaggio:Chassis, Stud Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Tipo diodo:Standard
Descrizione dettagliata:Diode Standard 600V 12A Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4)
Corrente - Dispersione inversa a Vr:5µA @ 600V
Corrente - raddrizzata media (Io):12A
Capacità a Vr, F:-
Email:[email protected]

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Parti relative per JANTXV1N1206A

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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JANTXV1N2806B Microsemi DIODE ZENER 8.2V 50W TO204AD Inchiesta
JANTXV1N1190 Microsemi DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB Inchiesta
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JANTXV1N2999B Microsemi DIODE ZENER 56V 10W DO213AA Inchiesta
JANTXV1N1190R Microsemi DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB Inchiesta
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JANTXV1N2991B Microsemi DIODE ZENER 36V 10W DO213AA Inchiesta
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