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JAN2N6790
- Modello di prodotti:
- JAN2N6790
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- MOSFET N-CH TO-205AF TO-39
- Stato senza piombo:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- Quantità di magazzino:
- 44083 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- JAN2N6790.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-39 |
| Serie: | Military, MIL-PRF-19500/555 |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 850 mOhm @ 3.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 800mW (Tc) |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | TO-205AF Metal Can |
| Altri nomi: | JAN2N6790-MIL |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 14.3nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 200V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 200V 3.5A (Tc) 800mW (Tc) Through Hole TO-39 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 3.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per JAN2N6790
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
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