JAN2N5013
Modello di prodotti:
JAN2N5013
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
NPN TRANSISTOR
Stato senza piombo:
RoHS non conforme
Quantità di magazzino:
46343 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
JAN2N5013.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Tensione - rottura collettore-emettitore (max):800V
Tipo transistor:NPN
Contenitore dispositivo fornitore:TO-5
Serie:Military, MIL-PRF-19500/727
Stato RoHS:RoHS non-compliant
Potenza - Max:1W
Contenitore / involucro:TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
temperatura di esercizio:-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Frequenza - transizione:-
Descrizione dettagliata:Bipolar (BJT) Transistor NPN 800V 200mA 1W Through Hole TO-5
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:30 @ 20mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max):10nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max):200mA
Email:[email protected]

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