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JAN1N6628US
- Modello di prodotti:
- JAN1N6628US
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B
- Stato senza piombo:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- Quantità di magazzino:
- 50434 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- JAN1N6628US.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 1.35V @ 2A |
| Tensione - inversa (Vr) (max): | 660V |
| Contenitore dispositivo fornitore: | D-5B |
| Velocità: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | Military, MIL-PRF-19500/590 |
| Tempo di ripristino inverso (trr): | 30ns |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | E-MELF |
| Altri nomi: | 1086-19987 1086-19987-MIL |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | -65°C ~ 150°C |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Tipo diodo: | Standard |
| Descrizione dettagliata: | Diode Standard 660V 1.75A Surface Mount D-5B |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr: | 2µA @ 660V |
| Corrente - raddrizzata media (Io): | 1.75A |
| Capacità a Vr, F: | 40pF @ 10V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per JAN1N6628US
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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JAN1N6629 | Microsemi | DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL | Inchiesta |
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JAN1N6625U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 1A A-MELF | Inchiesta |
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JAN1N6628 | Microsemi | DIODE GEN PURP 660V 1.75A AXIAL | Inchiesta |
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JAN1N6625US | Microsemi | DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A | Inchiesta |
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JAN1N6626 | Microsemi | DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL | Inchiesta |
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JAN1N6631U | Microsemi | DIODE GEN PURP 1KV 1.4A E-MELF | Inchiesta |
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JAN1N6630US | Microsemi | DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF | Inchiesta |
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JAN1N6631US | Microsemi | DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B | Inchiesta |
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JAN1N6629U | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 1.4A E-MELF | Inchiesta |
|
JAN1N6628U | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 1.75A E-MELF | Inchiesta |
|
JAN1N6627 | Microsemi | DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL | Inchiesta |
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JAN1N6629US | Microsemi | DIODE GEN PURP 880V 1.4A D5B | Inchiesta |
|
JAN1N6627U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 1.75A E-MELF | Inchiesta |
|
JAN1N6630 | Microsemi | DIODE GEN PURP 900V 1.4A AXIAL | Inchiesta |
|
JAN1N6638 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 150V 300MA AXIAL | Inchiesta |
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JAN1N6631 | Microsemi | DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A AXIAL | Inchiesta |
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JAN1N6630U | Microsemi | DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF | Inchiesta |
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JAN1N6626US | Microsemi | DIODE GEN PURP 220V 1.75A D5B | Inchiesta |
|
JAN1N6626U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 1.75A E-MELF | Inchiesta |
 |
JAN1N6627US | Microsemi | DIODE GEN PURP 440V 1.75A D5B | Inchiesta |
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