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JAN1N5814
- Modello di prodotti:
- JAN1N5814
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA
- Stato senza piombo:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- Quantità di magazzino:
- 27422 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- JAN1N5814.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - Picco inversa (max): | Standard |
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 20A |
| Tensione - Ripartizione: | DO-203AA (DO-4) |
| Serie: | - |
| Stato RoHS: | Bulk |
| Tempo di ripristino inverso (trr): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Resistenza a If, F: | 300pF @ 10V, 1MHz |
| Polarizzazione: | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Altri nomi: | 1086-15835 1086-15835-MIL |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | 35ns |
| Tipo montaggio: | Chassis, Stud Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | JAN1N5814 |
| Descrizione espansione: | Diode Standard 100V 20A Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) |
| Configurazione diodo: | 10µA @ 100V |
| Descrizione: | DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr: | 950mV @ 20A |
| Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo): | 100V |
| Capacità a Vr, F: | -65°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per JAN1N5814
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N5806US | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 2.5A D5A | Inchiesta |
 |
JAN1N5811 | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL | Inchiesta |
|
JAN1N5811URS | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG | Inchiesta |
|
JAN1N5816 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 150V 20A DO203AA | Inchiesta |
|
JAN1N5819UR-1/TR | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB | Inchiesta |
|
JAN1N5809 | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL | Inchiesta |
 |
JAN1N5819UR-1 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB | Inchiesta |
|
JAN1N5807US | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 6A B-MELF | Inchiesta |
 |
JAN1N5822 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 40V 3A AXIAL | Inchiesta |
|
JAN1N5807 | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL | Inchiesta |
|
JAN1N5809US | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF | Inchiesta |
|
JAN1N5968 | Microsemi | DIODE ZENER 5.6V 5W AXIAL | Inchiesta |
 |
JAN1N5811US | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 6A B-MELF | Inchiesta |
|
JAN1N6073 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 850MA AXIAL | Inchiesta |
|
JAN1N5809URS | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG | Inchiesta |
|
JAN1N6075 | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 3A AXIAL | Inchiesta |
|
JAN1N6076 | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 1.3A AXIAL | Inchiesta |
|
JAN1N6074 | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL | Inchiesta |
 |
JAN1N5819-1 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO41 | Inchiesta |
|
JAN1N5807URS | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG | Inchiesta |
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