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JAN1N5809US
- Modello di prodotti:
- JAN1N5809US
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF
- Stato senza piombo:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- Quantità di magazzino:
- 37366 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- JAN1N5809US.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 875mV @ 4A |
| Tensione - inversa (Vr) (max): | 100V |
| Contenitore dispositivo fornitore: | B, SQ-MELF |
| Velocità: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | Military, MIL-PRF-19500/477 |
| Tempo di ripristino inverso (trr): | 30ns |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | SQ-MELF, B |
| Altri nomi: | 1086-2125 1086-2125-MIL |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | -65°C ~ 175°C |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 8 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Tipo diodo: | Standard |
| Descrizione dettagliata: | Diode Standard 100V 6A Surface Mount B, SQ-MELF |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr: | 5µA @ 100V |
| Corrente - raddrizzata media (Io): | 6A |
| Capacità a Vr, F: | 60pF @ 10V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per JAN1N5809US
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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JAN1N5811 | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL | Inchiesta |
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JAN1N5809 | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL | Inchiesta |
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JAN1N5806 | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL | Inchiesta |
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JAN1N5807US | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 6A B-MELF | Inchiesta |
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JAN1N5806URS | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 1A APKG | Inchiesta |
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JAN1N5807 | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL | Inchiesta |
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JAN1N5814 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA | Inchiesta |
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JAN1N5806US | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 2.5A D5A | Inchiesta |
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JAN1N5819-1 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO41 | Inchiesta |
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JAN1N5804URS | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 1A APKG | Inchiesta |
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JAN1N5807URS | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG | Inchiesta |
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JAN1N5811URS | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG | Inchiesta |
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JAN1N5816 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 150V 20A DO203AA | Inchiesta |
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JAN1N5804US | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 2.5A D5A | Inchiesta |
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JAN1N5819UR-1 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB | Inchiesta |
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JAN1N5819UR-1/TR | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB | Inchiesta |
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JAN1N5968 | Microsemi | DIODE ZENER 5.6V 5W AXIAL | Inchiesta |
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JAN1N5809URS | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG | Inchiesta |
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JAN1N5822 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 40V 3A AXIAL | Inchiesta |
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JAN1N5811US | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 6A B-MELF | Inchiesta |
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