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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-raddrizzatori-singolo > JAN1N3644
JAN1N3644
Modello di prodotti:
JAN1N3644
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
DIODE GEN PURP 1.5KV 250MA AXIAL
Stato senza piombo:
Contiene piombo / RoHS non conforme
Quantità di magazzino:
37924 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
JAN1N3644.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
Paese d'origine Contact us
Codice di marcatura Send by email
Tensione - Picco inversa (max):Standard
Tensione - diretta (Vf) (max) a If:250mA
Tensione - Ripartizione:S, Axial
Serie:Military, MIL-PRF-19500/279
Stato RoHS:Bulk
Tempo di ripristino inverso (trr):Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Resistenza a If, F:-
Polarizzazione:S, Axial
Altri nomi:1086-16798
1086-16798-MIL
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
codice articolo del costruttore:JAN1N3644
Descrizione espansione:Diode Standard 1500V (1.5kV) 250mA Through Hole S, Axial
Configurazione diodo:5µA @ 1500V
Descrizione:DIODE GEN PURP 1.5KV 250MA AXIAL
Corrente - Dispersione inversa a Vr:5V @ 250mA
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo):1500V (1.5kV)
Capacità a Vr, F:-65°C ~ 175°C
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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JAN1N3766R Microsemi DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB Inchiesta
JAN1N3595AUS Microsemi DIODE GEN PURP 125V 150MA Inchiesta
JAN1N3766 Microsemi DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB Inchiesta
JAN1N3673A Microsemi DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA Inchiesta
JAN1N3613 Image JAN1N3613 Microsemi DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL Inchiesta
JAN1N3671R Microsemi DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA Inchiesta
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JAN1N3612 Image JAN1N3612 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL Inchiesta
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