J112-D26Z
Modello di prodotti:
J112-D26Z
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
JFET N-CH 35V 625MW TO92
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
50930 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
J112-D26Z.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Tensione - Cutoff (VGS off) @ Id:1V @ 1µA
Tensione - Breakdown (V (BR) GSS):35V
Contenitore dispositivo fornitore:TO-92-3
Serie:-
Resistenza - RDS (on):50 Ohms
Potenza - Max:625mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Altri nomi:J112-D26ZTR
J112_D26Z
J112_D26Z-ND
J112_D26ZTR
J112_D26ZTR-ND
J112D26Z
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:7 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:-
Tipo FET:N-Channel
Descrizione dettagliata:JFET N-Channel 35V 625mW Through Hole TO-92-3
Corrente - Drain (Idss) Vds (Vgs = 0):5mA @ 15V
Numero di parte base:J112
Email:[email protected]

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