IXRFSM12N100
IXRFSM12N100
Modello di prodotti:
IXRFSM12N100
fabbricante:
IXYS RF
Descrizione:
2A 1000V MOSFET IN SMPD PACKAGE
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
50760 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
IXRFSM12N100.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:5.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:16-SMPD
Serie:SMPD
Rds On (max) a Id, Vgs:1.05 Ohm @ 6A, 15V
Dissipazione di potenza (max):940W
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:16-BESOP (0.790", 20.11mm Width), 15 Leads, Exposed Pad
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:14 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2875pF @ 800V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:77nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):15V
Tensione drain-source (Vdss):1000V
Descrizione dettagliata:N-Channel 1000V 12A (Tc) 940W Surface Mount 16-SMPD
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

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