IXFT50N60P3
IXFT50N60P3
Modello di prodotti:
IXFT50N60P3
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 50A TO268
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
30523 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
IXFT50N60P3.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Vgs (th) (max) a Id:5V @ 4mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-268
Serie:HiPerFET™, Polar3™
Rds On (max) a Id, Vgs:145 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max):1040W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:24 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:6300pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:94nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione dettagliata:N-Channel 600V 50A (Tc) 1040W (Tc) Surface Mount TO-268
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

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