IXFR90N20Q è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per IXFR90N20Q, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per IXFR90N20Q via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista IXFR90N20Q con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
IXFR90N20Q
- Modello di prodotti:
- IXFR90N20Q
- fabbricante:
- IXYS Corporation
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 200V ISOPLUS247
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 47693 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- IXFR90N20Q.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | - |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | ISOPLUS247™ |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | - |
| Dissipazione di potenza (max): | - |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | ISOPLUS247™ |
| temperatura di esercizio: | - |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione drain-source (Vdss): | 200V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 200V Through Hole ISOPLUS247™ |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | - |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IXFR90N20Q
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFT12N100F | IXYS RF | MOSFET N-CH 1000V 12A TO268 | Inchiesta |
 |
IXFT120N25X3HV | IXYS Corporation | 250V/120A ULTRA JUNCTION X3-CLAS | Inchiesta |
 |
IXFR80N20Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 200V 71A ISOPLUS247 | Inchiesta |
|
IXFR66N50Q2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247 | Inchiesta |
|
IXFR80N10Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 100V 76A ISOPLUS247 | Inchiesta |
|
IXFR80N60P3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 48A ISOPLUS247 | Inchiesta |
|
IXFR75N10Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 100V ISOPLUS247 | Inchiesta |
|
IXFR70N15 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 150V 67A ISOPLUS247 | Inchiesta |
|
IXFT10N100 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268 | Inchiesta |
|
IXFR80N15Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 150V 75A ISOPLUS247 | Inchiesta |
|
IXFR9N80Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V ISOPLUS247 | Inchiesta |
|
IXFR90N20 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 200V 90A ISOPLUS247 | Inchiesta |
 |
IXFT100N30X3HV | IXYS Corporation | 300V/100A ULTRA JUNCTION X3-CLAS | Inchiesta |
|
IXFT120N30X3HV | IXYS Corporation | 300V/120A ULTRA JUNCTION X3-CLAS | Inchiesta |
|
IXFR90N30 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 300V 75A ISOPLUS247 | Inchiesta |
|
IXFR80N50P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 45A ISOPLUS247 | Inchiesta |
|
IXFT12N100 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268 | Inchiesta |
|
IXFT120N15P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 150V 120A TO-268 | Inchiesta |
|
IXFT12N100Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 12A TO268 | Inchiesta |
|
IXFR80N50Q3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247 | Inchiesta |
Latest Notizie
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico