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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXFK36N60P
IXFK36N60P
IXFK36N60P
Modello di prodotti:
IXFK36N60P
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 36A TO-264
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
24267 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
IXFK36N60P.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
Paese d'origine Contact us
Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:5V @ 4mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-264AA (IXFK)
Serie:HiPerFET™, PolarHT™
Rds On (max) a Id, Vgs:190 mOhm @ 18A, 10V
Dissipazione di potenza (max):650W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-264-3, TO-264AA
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:26 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:5800pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:102nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione dettagliata:N-Channel 600V 36A (Tc) 650W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:36A (Tc)
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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