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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXFH60N65X2-4
IXFH60N65X2-4
Modello di prodotti:
IXFH60N65X2-4
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH
Quantità di magazzino:
26777 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
IXFH60N65X2-4.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Vgs (th) (max) a Id:5V @ 4mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-247-4L
Serie:HiPerFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:52 mOhm @ 30A, 10V
Dissipazione di potenza (max):780W (Tc)
Contenitore / involucro:TO-247-4
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Produttore tempi di consegna standard:24 Weeks
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:6300pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:108nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):650V
Descrizione dettagliata:N-Channel 650V 60A (Tc) 780W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:60A (Tc)
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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