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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXFH130N15X3
IXFH130N15X3
Modello di prodotti:
IXFH130N15X3
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH
Quantità di magazzino:
34600 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
IXFH130N15X3.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Vgs (th) (max) a Id:4.5V @ 1.5mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-247
Serie:HiPerFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:9 mOhm @ 65A, 10V
Dissipazione di potenza (max):390W (Tc)
Contenitore / involucro:TO-247-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Produttore tempi di consegna standard:24 Weeks
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:5230pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:80nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):150V
Descrizione dettagliata:N-Channel 150V 130A (Tc) 390W (Tc) Through Hole TO-247
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:130A (Tc)
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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IXFH14N100Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 14A TO247AD Inchiesta
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IXFH14N100Q2 Image IXFH14N100Q2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247AD Inchiesta
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IXFH12N100P Image IXFH12N100P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 Inchiesta
IXFH12N100Q Image IXFH12N100Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD Inchiesta
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