IXFA12N50P
IXFA12N50P
Modello di prodotti:
IXFA12N50P
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
23254 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
IXFA12N50P.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Vgs (th) (max) a Id:5.5V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-263 (IXFA)
Serie:HiPerFET™, PolarP2™
Rds On (max) a Id, Vgs:500 mOhm @ 6A, 10V
Dissipazione di potenza (max):200W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:24 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1830pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:29nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):500V
Descrizione dettagliata:N-Channel 500V 12A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXFA)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

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