IXDI409SI è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per IXDI409SI, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per IXDI409SI via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista IXDI409SI con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
IXDI409SI
- Modello di prodotti:
- IXDI409SI
- fabbricante:
- IXYS Corporation
- Descrizione:
- IC MOSFET DRVR LS 9A 8-SOIC
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 51192 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- IXDI409SI.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione di alimentazione -: | 4.5 V ~ 35 V |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SOIC |
| Serie: | - |
| Tempo di salita / scadenza (Typ): | 10ns, 10ns |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi: | Q3203874 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Frequenza di ingresso: | 1 |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tensione logica - VIL, VIH: | 0.8V, 3.5V |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo di ingresso: | Inverting |
| Tipo di porta: | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Configurazione guidata: | Low-Side |
| Descrizione dettagliata: | Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-SOIC |
| Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore): | 9A, 9A |
| Base-Emitter Tensione di saturazione (max): | Single |
| Numero di parte base: | IXD*409 |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IXDI409SI
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
IXDI430MCI | IXYS Corporation | IC DRVR MOSF/IGBT 30A TO220-5 | Inchiesta |
|
IXDI402SI | IXYS Corporation | IC MOSFET DRIVER LS 2A 8SOIC | Inchiesta |
|
IXDI409CI | IXYS Corporation | IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE TO220-5 | Inchiesta |
|
IXDI404PI | IXYS Corporation | IC MOSFET DRIVER LS 4A DUAL 8DIP | Inchiesta |
|
IXDI404SIA | IXYS Corporation | IC MOSFET DRVR DUAL 4A 8-SOIC | Inchiesta |
|
IXDI430MYI | IXYS Corporation | IC DRVR MOSF/IGBT 30A TO263-5 | Inchiesta |
|
IXDI409PI | IXYS Corporation | IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE 8-DIP | Inchiesta |
|
IXDI409SIA | IXYS Corporation | IC MOSFET DVR 9A INV 8-SOIC | Inchiesta |
|
IXDI402PI | IXYS Corporation | IC MOSFET DRVR DUAL 2A 8-DIP | Inchiesta |
|
IXDI404SI-16 | IXYS Corporation | IC MOSFET DRVR LS 4A DUAL 16SOIC | Inchiesta |
|
IXDI409YI | IXYS Corporation | IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE TO263-5 | Inchiesta |
|
IXDI414SI | IXYS Corporation | IC DRIVER MOSF/IGBT 14A 14-SOIC | Inchiesta |
|
IXDI414YI | IXYS Corporation | IC DRIVER MOSF/IGBT 14A TO263-5 | Inchiesta |
|
IXDI430CI | IXYS Corporation | IC DRVR MOSF/IGBT 30A TO220-5 | Inchiesta |
|
IXDI414CI | IXYS Corporation | IC DRIVER MOSF/IGBT 14A TO-220-5 | Inchiesta |
|
IXDI404SI | IXYS Corporation | IC MOSFET DRVR LS 4A DUAL 8-SOIC | Inchiesta |
 |
IXDH35N60BD1 | IXYS Corporation | IGBT 600V 60A 250W TO247AD | Inchiesta |
|
IXDI430YI | IXYS Corporation | IC DRVR MOSF/IGBT 30A TO263-5 | Inchiesta |
|
IXDI402SIA | IXYS Corporation | IC MOSFET DRVR DUAL 2A 8-SOIC | Inchiesta |
|
IXDI414PI | IXYS Corporation | IC DRIVER MOSF/IGBT 14A 8-DIP | Inchiesta |
Latest Notizie
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico
- Vishay lancia l'imballaggio minile ad alta luminosità a LED blu e verde puro
- Ansonmei ha lanciato un sensore di posizione induttivo per il mercato industriale e dei trasporti
- Ruisa inizia la vecchia fabbrica per aumentare il dispositivo di alimentazione, il terremoto influisce su lieve uscita DRAM
- Il microchip consente la capacità di produzione di TSMC e aumenta gli aumenti dei prezzi