ISL23315TFRUZ-T7A è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per ISL23315TFRUZ-T7A, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per ISL23315TFRUZ-T7A via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista ISL23315TFRUZ-T7A con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
ISL23315TFRUZ-T7A
- Modello di prodotti:
- ISL23315TFRUZ-T7A
- fabbricante:
- Intersil
- Descrizione:
- IC DGTL POT 256POS 100K 10TQFN
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 44445 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- ISL23315TFRUZ-T7A.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione di alimentazione -: | 1.2 V ~ 5.5 V, 1.7 V ~ 5.5 V |
| Tolleranza: | ±20% |
| Coefficiente di temperatura (Typ): | 70 ppm/°C |
| rastremazione: | Linear |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 10-UTQFN (2.1x1.6) |
| Serie: | XDCP™ |
| Resistenza - Spazzola (Ohm) (Typ): | 70 |
| Resistenza (ohm): | 100k |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 10-UFQFN |
| Altri nomi: | ISL23315TFRUZ-T7A-ND ISL23315TFRUZ-T7ATR ISL23315TFRUZT7A |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 125°C |
| Numero di rubinetti: | 256 |
| Numero di circuiti: | 1 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tipo di memoria: | Volatile |
| Produttore tempi di consegna standard: | 6 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Interfaccia: | I²C |
| Caratteristiche: | Selectable Address |
| Descrizione dettagliata: | Digital Potentiometer 100k Ohm 1 Circuit 256 Taps I²C Interface 10-UTQFN (2.1x1.6) |
| Configurazione: | Potentiometer |
| Numero di parte base: | ISL23315 |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per ISL23315TFRUZ-T7A
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
ISL22511UFB8Z | Intersil | IC POT DGTL PB 32TP LN LP 8-SOIC | Inchiesta |
 |
ISL23315TFUZ-TK | Intersil | IC DGTL POT 256POS 100K 10MSOP | Inchiesta |
|
ISL22512WFB8Z | Intersil | IC POT DGTL PB 16TP LN LP 8-SOIC | Inchiesta |
|
ISL23315TFUZ | Intersil | IC DGTL POT 256POS 100K 10MSOP | Inchiesta |
|
ISL22512WFB8Z-TK | Intersil | IC POT DGTL PB 16TP LN LP 8-SOIC | Inchiesta |
|
ISL22511UFB8Z-TK | Intersil | IC POT DGTL PB 32TP LN LP 8-SOIC | Inchiesta |
 |
ISL23315TFRUZ-TK | Intersil | IC DGTL POT 256POS 100K 10TQFN | Inchiesta |
|
ISL23315UFUZ-T7A | Intersil | IC DGTL POT 256POS 50K 10MSOP | Inchiesta |
|
ISL23315UFUZ | Intersil | IC DGTL POT 256POS 50K 10MSOP | Inchiesta |
|
ISL23315UFUZ-TK | Intersil | IC DGTL POT 256POS 50K 10MSOP | Inchiesta |
|
ISL23315TFUZ-T7A | Intersil | IC DGTL POT 256POS 100K 10MSOP | Inchiesta |
|
ISL22511WFB8Z | Intersil | IC POT DGTL PB 32TP LN LP 8-SOIC | Inchiesta |
|
ISL23315UFRUZ-T7A | Intersil | IC DGTL POT 256POS 50K 10TQFN | Inchiesta |
|
ISL23315WFRUZ-T7A | Intersil | IC DGTL POT 256POS 10K 10TQFN | Inchiesta |
 |
ISL22449WFV14Z-TK | Intersil | IC POT DGTL 128TP LN LP 14-TSSOP | Inchiesta |
|
ISL22511WFB8Z-TK | Intersil | IC POT DGTL PB 32TP LN LP 8-SOIC | Inchiesta |
|
ISL22511WFRU10Z-TK | Intersil | IC POT DGTL PB 32TP LN LP 10TQFN | Inchiesta |
|
ISL22511UFRU10Z-TK | Intersil | IC POT DGTL PB 32TP LN LP 10TQFN | Inchiesta |
|
ISL22512WFRU10Z-TK | Intersil | IC POT DGTL PB 16TP LN LP 10TQFN | Inchiesta |
|
ISL23315UFRUZ-TK | Intersil | IC DGTL POT 256POS 50K 10TQFN | Inchiesta |
Latest Notizie
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico