ISC1210EBR68M è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per ISC1210EBR68M, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per ISC1210EBR68M via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista ISC1210EBR68M con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
ISC1210EBR68M
- Modello di prodotti:
- ISC1210EBR68M
- fabbricante:
- Dale / Vishay
- Descrizione:
- FIXED IND 680NH 450MA 480 MOHM
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 45266 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- ISC1210EBR68M.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Digitare: | Wirewound |
| Tolleranza: | ±20% |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 1210 |
| Dimensioni / Dimension: | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
| Schermatura: | Shielded |
| Serie: | ISC-1210 |
| Giudizi: | - |
| Q alla frequenza: | 40 @ 25.2MHz |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | 1210 (3225 Metric) |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 125°C |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Materiale - Nucleo: | Iron Powder |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza di induttanza - Test: | 25.2MHz |
| Induttanza: | 680nH |
| Altezza - In sede (max): | 0.095" (2.41mm) |
| Frequenza - Autorisonante: | 180MHz |
| Descrizione dettagliata: | 680nH Shielded Wirewound Inductor 450mA 480 mOhm Max 1210 (3225 Metric) |
| Resistenza cc (DCR): | 480 mOhm Max |
| Valutazione attuale: | 450mA |
| Corrente - saturazione: | - |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per ISC1210EBR68M
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
ISC1210EBR47M | Dale / Vishay | FIXED IND 470NH 460MA 440 MOHM | Inchiesta |
|
ISC1210EBR68K | Dale / Vishay | FIXED IND 680NH 450MA 480 MOHM | Inchiesta |
|
ISC1210ER100K | Dale / Vishay | FIXED IND 10UH 185MA 2 OHM SMD | Inchiesta |
|
ISC1210EBR39M | Dale / Vishay | FIXED IND 390NH 465MA 400 MOHM | Inchiesta |
|
ISC1210ER101K | Dale / Vishay | FIXED IND 100UH 80MA 12 OHM SMD | Inchiesta |
|
ISC1210EBR56J | Dale / Vishay | FIXED IND 560NH 455MA 460 MOHM | Inchiesta |
|
ISC1210ER120J | Dale / Vishay | FIXED IND 12UH 175MA 2.3 OHM SMD | Inchiesta |
|
ISC1210EBR47K | Dale / Vishay | FIXED IND 470NH 460MA 440 MOHM | Inchiesta |
|
ISC1210ER120K | Dale / Vishay | FIXED IND 12UH 175MA 2.3 OHM SMD | Inchiesta |
|
ISC1210ER100J | Dale / Vishay | FIXED IND 10UH 185MA 2 OHM SMD | Inchiesta |
|
ISC1210EBR82K | Dale / Vishay | FIXED IND 820NH 450MA 500 MOHM | Inchiesta |
|
ISC1210EBR47J | Dale / Vishay | FIXED IND 470NH 460MA 440 MOHM | Inchiesta |
|
ISC1210ER101J | Dale / Vishay | FIXED IND 100UH 80MA 12 OHM SMD | Inchiesta |
|
ISC1210EBR56K | Dale / Vishay | FIXED IND 560NH 455MA 460 MOHM | Inchiesta |
|
ISC1210EBR68J | Dale / Vishay | FIXED IND 680NH 450MA 480 MOHM | Inchiesta |
|
ISC1210EBR56M | Dale / Vishay | FIXED IND 560NH 455MA 460 MOHM | Inchiesta |
|
ISC1210EBR39K | Dale / Vishay | FIXED IND 390NH 465MA 400 MOHM | Inchiesta |
|
ISC1210EBR82J | Dale / Vishay | FIXED IND 820NH 450MA 500 MOHM | Inchiesta |
|
ISC1210ER10NM | Dale / Vishay | FIXED IND 10NH 810MA 100 MOHM | Inchiesta |
|
ISC1210EBR82M | Dale / Vishay | FIXED IND 820NH 450MA 500 MOHM | Inchiesta |
Latest Notizie
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico
- Vishay lancia l'imballaggio minile ad alta luminosità a LED blu e verde puro
- Ansonmei ha lanciato un sensore di posizione induttivo per il mercato industriale e dei trasporti
- Ruisa inizia la vecchia fabbrica per aumentare il dispositivo di alimentazione, il terremoto influisce su lieve uscita DRAM
- Il microchip consente la capacità di produzione di TSMC e aumenta gli aumenti dei prezzi