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IS61NVP51236-200B3
- Modello di prodotti:
- IS61NVP51236-200B3
- fabbricante:
- ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
- Descrizione:
- IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 35118 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- IS61NVP51236-200B3.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina: | - |
| Tensione di alimentazione -: | 2.375 V ~ 2.625 V |
| Tecnologia: | SRAM - Synchronous |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 165-TFBGA (13x15) |
| Serie: | - |
| Contenitore / involucro: | 165-TBGA |
| temperatura di esercizio: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria: | Volatile |
| Dimensione della memoria: | 18Mb (512K x 36) |
| Interfaccia di memoria: | Parallel |
| Formato di memoria: | SRAM |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata: | SRAM - Synchronous Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 200MHz 3.1ns 165-TFBGA (13x15) |
| Frequenza dell'orologio: | 200MHz |
| Tempo di accesso: | 3.1ns |
| Email: | [email protected] |
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