IS61NLP25636A-200B2I è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per IS61NLP25636A-200B2I, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per IS61NLP25636A-200B2I via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista IS61NLP25636A-200B2I con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
IS61NLP25636A-200B2I
- Modello di prodotti:
- IS61NLP25636A-200B2I
- fabbricante:
- ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
- Descrizione:
- IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA
- Stato senza piombo:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- Quantità di magazzino:
- 46098 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- IS61NLP25636A-200B2I.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina: | - |
| Tensione di alimentazione -: | 3.135 V ~ 3.465 V |
| Tecnologia: | SRAM - Synchronous |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 119-PBGA (14x22) |
| Serie: | - |
| imballaggio: | Tray |
| Contenitore / involucro: | 119-BBGA |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria: | Volatile |
| Dimensione della memoria: | 9Mb (256K x 36) |
| Interfaccia di memoria: | Parallel |
| Formato di memoria: | SRAM |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Descrizione dettagliata: | SRAM - Synchronous Memory IC 9Mb (256K x 36) Parallel 200MHz 3.1ns 119-PBGA (14x22) |
| Frequenza dell'orologio: | 200MHz |
| Tempo di accesso: | 3.1ns |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IS61NLP25636A-200B2I
Latest Notizie
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico
- Vishay lancia l'imballaggio minile ad alta luminosità a LED blu e verde puro
- Ansonmei ha lanciato un sensore di posizione induttivo per il mercato industriale e dei trasporti
- Ruisa inizia la vecchia fabbrica per aumentare il dispositivo di alimentazione, il terremoto influisce su lieve uscita DRAM
- Il microchip consente la capacità di produzione di TSMC e aumenta gli aumenti dei prezzi