IRFIB8N50KPBF è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per IRFIB8N50KPBF, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per IRFIB8N50KPBF via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista IRFIB8N50KPBF con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
IRFIB8N50KPBF
- Modello di prodotti:
- IRFIB8N50KPBF
- fabbricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 500V 6.7A TO220FP
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 46880 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- IRFIB8N50KPBF.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220-3 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 350 mOhm @ 4A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 45W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Altri nomi: | *IRFIB8N50KPBF |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2160pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 89nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 500V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 500V 6.7A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 6.7A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IRFIB8N50KPBF
Latest Notizie
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico
- Vishay lancia l'imballaggio minile ad alta luminosità a LED blu e verde puro
- Ansonmei ha lanciato un sensore di posizione induttivo per il mercato industriale e dei trasporti
- Ruisa inizia la vecchia fabbrica per aumentare il dispositivo di alimentazione, il terremoto influisce su lieve uscita DRAM
- Il microchip consente la capacità di produzione di TSMC e aumenta gli aumenti dei prezzi