IRFHM8235TRPBF
IRFHM8235TRPBF
Modello di prodotti:
IRFHM8235TRPBF
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 25V 16A 8PQFN
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
34560 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
IRFHM8235TRPBF.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:2.35V @ 25µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:7.7 mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max):3W (Ta), 30W (Tc)
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:8-PowerTDFN
Altri nomi:IRFHM8235TRPBFCT
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1040pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:12nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):25V
Descrizione dettagliata:N-Channel 25V 16A (Ta) 3W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:16A (Ta)
Email:[email protected]

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