IRFH5302TRPBF
IRFH5302TRPBF
Modello di prodotti:
IRFH5302TRPBF
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 32A 5X6 PQFN
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
33308 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
IRFH5302TRPBF.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:2.35V @ 100µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PQFN (5x6) Single Die
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:2.1 mOhm @ 50A, 10V
Dissipazione di potenza (max):3.6W (Ta), 100W (Tc)
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:8-PowerVDFN
Altri nomi:IRFH5302TRPBFDKR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:4400pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:76nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:N-Channel 30V 32A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6) Single Die
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:32A (Ta), 100A (Tc)
Email:[email protected]

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