IRFH3707TR2PBF
IRFH3707TR2PBF
Modello di prodotti:
IRFH3707TR2PBF
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 12A PQFN33
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
34063 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
IRFH3707TR2PBF.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:2.35V @ 25µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-PQFN (3x3)
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:12.4 mOhm @ 12A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.8W (Ta)
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:8-PowerVDFN
Altri nomi:IRFH3707TR2PBFCT
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:755pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:8.1nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:N-Channel 30V 12A (Ta), 29A (Tc) 2.8W (Ta) Surface Mount 8-PQFN (3x3)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:12A (Ta), 29A (Tc)
Email:[email protected]

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