IRF9910TR
IRF9910TR
Modello di prodotti:
IRF9910TR
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
Stato senza piombo:
Contiene piombo / RoHS non conforme
Quantità di magazzino:
46515 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
IRF9910TR.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:2.55V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:8-SO
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:13.4 mOhm @ 10A, 10V
Potenza - Max:2W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:900pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:11nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 10A, 12A 2W Surface Mount 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:10A, 12A
Email:[email protected]

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