IRF8302MTR1PBF
IRF8302MTR1PBF
Modello di prodotti:
IRF8302MTR1PBF
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N CH 30V 31A MX
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
29588 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
IRF8302MTR1PBF.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:2.35V @ 150µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:DIRECTFET™ MX
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:1.8 mOhm @ 31A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.8W (Ta), 104W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:DirectFET™ Isometric MX
Altri nomi:IRF8302MTR1PBF-ND
IRF8302MTR1PBFTR
SP001566576
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:6030pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:53nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:N-Channel 30V 31A (Ta), 190A (Tc) 2.8W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:31A (Ta), 190A (Tc)
Email:[email protected]

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