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IRF7663
- Modello di prodotti:
- IRF7663
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8
- Stato senza piombo:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- Quantità di magazzino:
- 52619 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- IRF7663.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.2V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±12V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | Micro8™ |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 20 mOhm @ 7A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1.8W (Ta) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2520pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 45nC @ 5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione dettagliata: | P-Channel 20V 8.2A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount Micro8™ |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 8.2A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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