IRF7233TR
IRF7233TR
Modello di prodotti:
IRF7233TR
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-SOIC
Stato senza piombo:
Contiene piombo / RoHS non conforme
Quantità di magazzino:
22784 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
IRF7233TR.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Vgs (th) (max) a Id:600mV @ 250µA
Vgs (Max):±12V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-SO
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:20 mOhm @ 9.5A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):2.5W (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:6000pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:74nC @ 5V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss):12V
Descrizione dettagliata:P-Channel 12V 9.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:9.5A (Ta)
Email:[email protected]

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