IRF6644TR1
IRF6644TR1
Modello di prodotti:
IRF6644TR1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-MN
Stato senza piombo:
Contiene piombo / RoHS non conforme
Quantità di magazzino:
45205 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
IRF6644TR1.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Vgs (th) (max) a Id:4.8V @ 150µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:DIRECTFET™ MN
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:13 mOhm @ 10.3A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.8W (Ta), 89W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:DirectFET™ Isometric MN
Altri nomi:SP001561926
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):3 (168 Hours)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2210pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:47nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione dettagliata:N-Channel 100V 10.3A (Ta), 60A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MN
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:10.3A (Ta), 60A (Tc)
Email:[email protected]

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