IRF1405ZPBF è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per IRF1405ZPBF, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per IRF1405ZPBF via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista IRF1405ZPBF con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
IRF1405ZPBF
- Modello di prodotti:
- IRF1405ZPBF
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 49033 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- IRF1405ZPBF.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220AB |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 4.9 mOhm @ 75A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 230W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 |
| Altri nomi: | *IRF1405ZPBF 64-0097PBF 64-0097PBF-ND SP001563230 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 4780pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 180nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 55V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 55V 75A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 75A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IRF1405ZPBF
Latest Notizie
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato