IRF1010ESTRR
IRF1010ESTRR
Modello di prodotti:
IRF1010ESTRR
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
Stato senza piombo:
Contiene piombo / RoHS non conforme
Quantità di magazzino:
23737 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
IRF1010ESTRR.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D2PAK
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:12 mOhm @ 50A, 10V
Dissipazione di potenza (max):200W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:3210pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:130nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione dettagliata:N-Channel 60V 84A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:84A (Tc)
Email:[email protected]

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