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IPN70R1K2P7SATMA1
- Modello di prodotti:
- IPN70R1K2P7SATMA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- COOLMOS P7 700V SOT-223
- Stato senza piombo:
- A norma RoHS
- Quantità di magazzino:
- 25556 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- IPN70R1K2P7SATMA1.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 3.5V @ 40µA |
| Vgs (Max): | ±16V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-SOT223 |
| Serie: | CoolMOS™ P7 |
| Stato RoHS: | RoHS Compliant |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 1.2 Ohm @ 900mA, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 6.3W (Tc) |
| imballaggio: | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro: | SOT-223-3 |
| Altri nomi: | IPN70R1K2P7SATMA1CT |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 174pF @ 400V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 4.8nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 700V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 700V 4.5A (Tc) 6.3W (Tc) Surface Mount PG-SOT223 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 4.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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