IPI70N04S307AKSA1
IPI70N04S307AKSA1
Modello di prodotti:
IPI70N04S307AKSA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
30562 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
IPI70N04S307AKSA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:4V @ 50µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO262-3
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:6.5 mOhm @ 70A, 10V
Dissipazione di potenza (max):79W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Altri nomi:IPI70N04S3-07
IPI70N04S3-07-ND
SP000279551
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2700pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:40nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):40V
Descrizione dettagliata:N-Channel 40V 80A (Tc) 79W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

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