IPDD60R050G7XTMA1
IPDD60R050G7XTMA1
Modello di prodotti:
IPDD60R050G7XTMA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET NCH 650V 135A PG-HDSOP-10
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
33640 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
IPDD60R050G7XTMA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:4V @ 800µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-HDSOP-10-1
Serie:CoolMOS™ G7
Rds On (max) a Id, Vgs:50 mOhm @ 15.9A, 10V
Dissipazione di potenza (max):278W (Tc)
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:10-PowerSOP Module
Altri nomi:IPDD60R050G7XTMA1DKR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2670pF @ 400V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:68nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione dettagliata:N-Channel 600V 47A (Tc) 278W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-10-1
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:47A (Tc)
Email:[email protected]

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