IPB117N20NFDATMA1
IPB117N20NFDATMA1
Modello di prodotti:
IPB117N20NFDATMA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 84A D2PAK
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
51344 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
IPB117N20NFDATMA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:4V @ 270µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-263-3
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:11.7 mOhm @ 84A, 10V
Dissipazione di potenza (max):300W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:IPB117N20NFDATMA1TR
SP001107232
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:6650pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:87nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):200V
Descrizione dettagliata:N-Channel 200V 84A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-263-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:84A (Tc)
Email:[email protected]

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