IPB100N08S207ATMA1
IPB100N08S207ATMA1
Modello di prodotti:
IPB100N08S207ATMA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
49094 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
IPB100N08S207ATMA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO263-3-2
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:6.8 mOhm @ 80A, 10V
Dissipazione di potenza (max):300W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:IPB100N08S2-07
IPB100N08S2-07-ND
IPB100N08S207ATMA1TR
SP000219044
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:4700pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:200nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):75V
Descrizione dettagliata:N-Channel 75V 100A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

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