IPB06N03LA
IPB06N03LA
Modello di prodotti:
IPB06N03LA
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
Stato senza piombo:
Contiene piombo / RoHS non conforme
Quantità di magazzino:
27877 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
IPB06N03LA.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Vgs (th) (max) a Id:2V @ 40µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO263-3-2
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:5.9 mOhm @ 30A, 10V
Dissipazione di potenza (max):83W (Tc)
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:IPB06N03LAINCT
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2653pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:22nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):25V
Descrizione dettagliata:N-Channel 25V 50A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

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