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IPB029N06N3GE8187ATMA1
- Modello di prodotti:
- IPB029N06N3GE8187ATMA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 51423 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- IPB029N06N3GE8187ATMA1.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 118µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | D²PAK (TO-263AB) |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 3.2 mOhm @ 100A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 188W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi: | IPB029N06N3 G E8187 IPB029N06N3 G E8187-ND IPB029N06N3GE8187ATMA1TR SP000939334 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 13000pF @ 30V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 165nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 60V 120A (Tc) 188W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 120A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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