IMC1812RV3R9K è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per IMC1812RV3R9K, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per IMC1812RV3R9K via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista IMC1812RV3R9K con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
IMC1812RV3R9K
- Modello di prodotti:
- IMC1812RV3R9K
- fabbricante:
- Dale / Vishay
- Descrizione:
- FIXED IND 3.9UH 330MA 900 MOHM
- Stato senza piombo:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- Quantità di magazzino:
- 51154 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- IMC1812RV3R9K.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Digitare: | Wirewound |
| Tolleranza: | ±10% |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 1812 |
| Dimensioni / Dimension: | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
| Schermatura: | Unshielded |
| Serie: | IMC-1812 |
| Giudizi: | - |
| Q alla frequenza: | 50 @ 7.96MHz |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 1812 (4532 Metric) |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 125°C |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Materiale - Nucleo: | Iron Powder |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Frequenza di induttanza - Test: | 7.96MHz |
| Induttanza: | 3.9µH |
| Altezza - In sede (max): | 0.134" (3.40mm) |
| Frequenza - Autorisonante: | 40MHz |
| Descrizione dettagliata: | 3.9µH Unshielded Wirewound Inductor 330mA 900 mOhm Max 1812 (4532 Metric) |
| Resistenza cc (DCR): | 900 mOhm Max |
| Valutazione attuale: | 330mA |
| Corrente - saturazione: | - |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IMC1812RV3R9K
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
IMC1812RV560K | Dale / Vishay | FIXED IND 56UH 135MA 5.5 OHM SMD | Inchiesta |
|
IMC1812RV3R9J | Dale / Vishay | FIXED IND 3.9UH 330MA 900 MOHM | Inchiesta |
|
IMC1812RV331K | Dale / Vishay | FIXED IND 330UH 85MA 14 OHM SMD | Inchiesta |
|
IMC1812RV3R3K | Dale / Vishay | FIXED IND 3.3UH 355MA 800 MOHM | Inchiesta |
|
IMC1812RV47NM | Dale / Vishay | FIXED IND 47NH 450MA 300 MOHM | Inchiesta |
|
IMC1812RV560J | Dale / Vishay | FIXED IND 56UH 135MA 5.5 OHM SMD | Inchiesta |
|
IMC1812RV33NM | Dale / Vishay | FIXED IND 33NH 450MA 300 MOHM | Inchiesta |
|
IMC1812RV330K | Dale / Vishay | FIXED IND 33UH 160MA 4 OHM SMD | Inchiesta |
|
IMC1812RV391K | Dale / Vishay | FIXED IND 390UH 80MA 16 OHM SMD | Inchiesta |
|
IMC1812RV390J | Dale / Vishay | FIXED IND 39UH 150MA 4.5 OHM SMD | Inchiesta |
|
IMC1812RV390K | Dale / Vishay | FIXED IND 39UH 150MA 4.5 OHM SMD | Inchiesta |
|
IMC1812RV4R7J | Dale / Vishay | FIXED IND 4.7UH 315MA 1 OHM SMD | Inchiesta |
|
IMC1812RV4R7K | Dale / Vishay | FIXED IND 4.7UH 315MA 1 OHM SMD | Inchiesta |
|
IMC1812RV39NM | Dale / Vishay | FIXED IND 39NH 450MA 300 MOHM | Inchiesta |
|
IMC1812RV470J | Dale / Vishay | FIXED IND 47UH 140MA 5 OHM SMD | Inchiesta |
|
IMC1812RV471J | Dale / Vishay | FIXED IND 470UH 62MA 26 OHM SMD | Inchiesta |
|
IMC1812RV471K | Dale / Vishay | FIXED IND 470UH 62MA 26 OHM SMD | Inchiesta |
|
IMC1812RV3R3J | Dale / Vishay | FIXED IND 3.3UH 355MA 800 MOHM | Inchiesta |
|
IMC1812RV470K | Dale / Vishay | FIXED IND 47UH 140MA 5 OHM SMD | Inchiesta |
|
IMC1812RV561J | Dale / Vishay | FIXED IND 560UH 50MA 30 OHM SMD | Inchiesta |
Latest Notizie
- Il braccio è apparso in Computex 2024: si prevede che entro la fine del 2025 possono essere utilizzati oltre 100 miliardi di dispositivi ARM
- Qorvo ha lanciato le eccezionali preliminari 5G MMIMO ad alto livello del settore
- Inventario del ciclo di simulazione Sottomarcia, Ai guida la domanda di memoria flash continua
- Il piano di Micron di costruire una memoria di fabbrica, NAND Flash a prezzi o manutenzione elevati
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico