IMC1210ER68NJ è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per IMC1210ER68NJ, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per IMC1210ER68NJ via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista IMC1210ER68NJ con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
IMC1210ER68NJ
- Modello di prodotti:
- IMC1210ER68NJ
- fabbricante:
- Dale / Vishay
- Descrizione:
- FIXED IND 68NH 450MA 360 MOHM
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 21757 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- IMC1210ER68NJ.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Digitare: | Wirewound |
| Tolleranza: | ±5% |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 1210 |
| Dimensioni / Dimension: | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
| Schermatura: | Unshielded |
| Serie: | IMC-1210 |
| Giudizi: | - |
| Q alla frequenza: | 30 @ 50MHz |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 1210 (3225 Metric) |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 125°C |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Materiale - Nucleo: | Non-Magnetic |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza di induttanza - Test: | 50MHz |
| Induttanza: | 68nH |
| Altezza - In sede (max): | 0.095" (2.41mm) |
| Frequenza - Autorisonante: | 1GHz |
| Descrizione dettagliata: | 68nH Unshielded Wirewound Inductor 450mA 360 mOhm Max 1210 (3225 Metric) |
| Resistenza cc (DCR): | 360 mOhm Max |
| Valutazione attuale: | 450mA |
| Corrente - saturazione: | - |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IMC1210ER68NJ
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
IMC1210ER5R6K | Dale / Vishay | FIXED IND 5.6UH 217MA 1.6 OHM | Inchiesta |
|
IMC1210ER82NK | Dale / Vishay | FIXED IND 82NH 450MA 400 MOHM | Inchiesta |
|
IMC1210ER5R6J | Dale / Vishay | FIXED IND 5.6UH 217MA 1.6 OHM | Inchiesta |
|
IMC1210ER4R7K | Dale / Vishay | FIXED IND 4.7UH 224MA 1.5 OHM | Inchiesta |
|
IMC1210ER68NM | Dale / Vishay | FIXED IND 68NH 450MA 360 MOHM | Inchiesta |
|
IMC1210ER820J | Dale / Vishay | FIXED IND 82UH 79MA 12 OHM SMD | Inchiesta |
|
IMC1210ER8R2J | Dale / Vishay | FIXED IND 8.2UH 194MA 2 OHM SMD | Inchiesta |
|
IMC1210ER56NK | Dale / Vishay | FIXED IND 56NH 470MA 330 MOHM | Inchiesta |
|
IMC1210ER6R8K | Dale / Vishay | FIXED IND 6.8UH 204MA 1.8 OHM | Inchiesta |
|
IMC1210ER56NJ | Dale / Vishay | FIXED IND 56NH 470MA 330 MOHM | Inchiesta |
|
IMC1210ER560J | Dale / Vishay | FIXED IND 56UH 87MA 10 OHM SMD | Inchiesta |
|
IMC1210ER680J | Dale / Vishay | FIXED IND 68UH 83MA 11 OHM SMD | Inchiesta |
|
IMC1210ER82NJ | Dale / Vishay | FIXED IND 82NH 450MA 400 MOHM | Inchiesta |
|
IMC1210ER820K | Dale / Vishay | FIXED IND 82UH 79MA 12 OHM SMD | Inchiesta |
|
IMC1210ER560K | Dale / Vishay | FIXED IND 56UH 87MA 10 OHM SMD | Inchiesta |
|
IMC1210ER6R8J | Dale / Vishay | FIXED IND 6.8UH 204MA 1.8 OHM | Inchiesta |
|
IMC1210ER68NK | Dale / Vishay | FIXED IND 68NH 450MA 360 MOHM | Inchiesta |
|
IMC1210ER82NM | Dale / Vishay | FIXED IND 82NH 450MA 400 MOHM | Inchiesta |
|
IMC1210ER56NM | Dale / Vishay | FIXED IND 56NH 470MA 330 MOHM | Inchiesta |
|
IMC1210ER680K | Dale / Vishay | FIXED IND 68UH 83MA 11 OHM SMD | Inchiesta |
Latest Notizie
- Il braccio è apparso in Computex 2024: si prevede che entro la fine del 2025 possono essere utilizzati oltre 100 miliardi di dispositivi ARM
- Qorvo ha lanciato le eccezionali preliminari 5G MMIMO ad alto livello del settore
- Inventario del ciclo di simulazione Sottomarcia, Ai guida la domanda di memoria flash continua
- Il piano di Micron di costruire una memoria di fabbrica, NAND Flash a prezzi o manutenzione elevati
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico