IDT71V016SA20Y8 è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per IDT71V016SA20Y8, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per IDT71V016SA20Y8 via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista IDT71V016SA20Y8 con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
IDT71V016SA20Y8
- Modello di prodotti:
- IDT71V016SA20Y8
- fabbricante:
- IDT (Integrated Device Technology)
- Descrizione:
- IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ
- Stato senza piombo:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- Quantità di magazzino:
- 41644 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- IDT71V016SA20Y8.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina: | 20ns |
| Tensione di alimentazione -: | 3 V ~ 3.6 V |
| Tecnologia: | SRAM - Asynchronous |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 44-SOJ |
| Serie: | - |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
| Altri nomi: | 71V016SA20Y8 |
| temperatura di esercizio: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria: | Volatile |
| Dimensione della memoria: | 1Mb (64K x 16) |
| Interfaccia di memoria: | Parallel |
| Formato di memoria: | SRAM |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Descrizione dettagliata: | SRAM - Asynchronous Memory IC 1Mb (64K x 16) Parallel 20ns 44-SOJ |
| Numero di parte base: | IDT71V016 |
| Tempo di accesso: | 20ns |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IDT71V016SA20Y8
Latest Notizie
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico
- Vishay lancia l'imballaggio minile ad alta luminosità a LED blu e verde puro
- Ansonmei ha lanciato un sensore di posizione induttivo per il mercato industriale e dei trasporti
- Ruisa inizia la vecchia fabbrica per aumentare il dispositivo di alimentazione, il terremoto influisce su lieve uscita DRAM
- Il microchip consente la capacità di produzione di TSMC e aumenta gli aumenti dei prezzi
- Ruisa ha lanciato la nuova serie RA0 Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis lancia un chip a interruttore induttore integrato completo
- X-Fab introduce la tecnologia del sensore del sensore di immagine per migliorare le prestazioni del sensore CMOS
- La grande fabbrica di chip è stata influenzata dal terremoto: TSMC ha smesso di funzionare con urgenza, esacerbando la fornitura di GPU a breve termine?
- La memoria di Nand Flash continua, MCU Deslocking Bottom ha ragione