IDH03G65C5XKSA1 è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per IDH03G65C5XKSA1, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per IDH03G65C5XKSA1 via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista IDH03G65C5XKSA1 con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
IDH03G65C5XKSA1
- Modello di prodotti:
- IDH03G65C5XKSA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- DIODE SCHOTTKY 650V 3A TO220-2
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 48098 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- IDH03G65C5XKSA1.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione - Picco inversa (max): | Silicon Carbide Schottky |
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 3A (DC) |
| Tensione - Ripartizione: | PG-TO220-2 |
| Serie: | thinQ!™ |
| Stato RoHS: | Tube |
| Tempo di ripristino inverso (trr): | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Resistenza a If, F: | 100pF @ 1V, 1MHz |
| Polarizzazione: | TO-220-2 |
| Altri nomi: | IDH03G65C5 IDH03G65C5-ND SP000925196 |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | 0ns |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IDH03G65C5XKSA1 |
| Descrizione espansione: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 3A (DC) Through Hole PG-TO220-2 |
| Configurazione diodo: | 50µA @ 600V |
| Descrizione: | DIODE SCHOTTKY 650V 3A TO220-2 |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr: | 1.7V @ 3A |
| Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo): | 650V |
| Capacità a Vr, F: | -55°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IDH03G65C5XKSA1
Latest Notizie
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Il rapporto finanziario del primo trimestre del SEF Semiconductor (ST) diminuisce e la domanda di automobili ha rallentato
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash
- Volume del chip maturo locale, capacità di produzione di memoria flash Samsung Nand vicino a carico
- Vishay lancia l'imballaggio minile ad alta luminosità a LED blu e verde puro
- Ansonmei ha lanciato un sensore di posizione induttivo per il mercato industriale e dei trasporti
- Ruisa inizia la vecchia fabbrica per aumentare il dispositivo di alimentazione, il terremoto influisce su lieve uscita DRAM
- Il microchip consente la capacità di produzione di TSMC e aumenta gli aumenti dei prezzi