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HTNFET-T
- Modello di prodotti:
- HTNFET-T
- fabbricante:
- Honeywell Microelectronics & Precision Sensors
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 55V 4-PIN
- Stato senza piombo:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- Quantità di magazzino:
- 23061 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- HTNFET-T.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.4V @ 100µA |
| Vgs (Max): | 10V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 4-Power Tab |
| Serie: | HTMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 400 mOhm @ 100mA, 5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 50W (Tj) |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | 4-SIP |
| Altri nomi: | 342-1091 HTNFET-T-ND HTNFETT |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 8 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 290pF @ 28V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 4.3nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 5V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 55V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 55V 50W (Tj) Through Hole 4-Power Tab |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | - |
| Email: | [email protected] |
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