HN2A01FE-Y(TE85L,F
HN2A01FE-Y(TE85L,F
Modello di prodotti:
HN2A01FE-Y(TE85L,F
fabbricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione:
TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
55558 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
HN2A01FE-Y(TE85L,F.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Codice di marcatura Send by email
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:300mV @ 10mA, 100mA
Tipo transistor:2 PNP (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore:ES6
Serie:-
Potenza - Max:100mW
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:SOT-563, SOT-666
Altri nomi:HN2A01FE-Y(TE85LFCT
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione:80MHz
Descrizione dettagliata:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ES6
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:120 @ 2mA, 6V
Corrente - Cutoff collettore (max):100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max):150mA
Email:[email protected]

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