HL022R4BTTR è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per HL022R4BTTR, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per HL022R4BTTR via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista HL022R4BTTR con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
HL022R4BTTR
- Modello di prodotti:
- HL022R4BTTR
- fabbricante:
- AVX Corporation
- Descrizione:
- FIXED IND 2.4NH 330MA 192 MOHM
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 47202 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- HL022R4BTTR.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Digitare: | Multilayer |
| Tolleranza: | ±0.1nH |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 0402 (1005 Metric) |
| Dimensioni / Dimension: | 0.039" L x 0.023" W (1.00mm x 0.58mm) |
| Schermatura: | Unshielded |
| Serie: | MLO™ |
| Giudizi: | - |
| Q alla frequenza: | 27 @ 450MHz |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 0402 (1005 Metric) |
| Altri nomi: | 478-6917-2 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 125°C |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Materiale - Nucleo: | Non-Magnetic |
| Produttore tempi di consegna standard: | 18 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza di induttanza - Test: | 450MHz |
| Induttanza: | 2.4nH |
| Altezza - In sede (max): | 0.018" (0.45mm) |
| Frequenza - Autorisonante: | 9.4GHz |
| Descrizione dettagliata: | 2.4nH Unshielded Multilayer Inductor 330mA 192 mOhm Max 0402 (1005 Metric) |
| Resistenza cc (DCR): | 192 mOhm Max |
| Valutazione attuale: | 330mA |
| Corrente - saturazione: | - |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per HL022R4BTTR
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
HL02220GTTR | AVX Corporation | FIXED IND 22NH 180MA 1.317 OHM | Inchiesta |
|
HL021R6BTTR | AVX Corporation | FIXED IND 1.6NH 339MA 137 MOHM | Inchiesta |
|
HL023R0BTTR | AVX Corporation | FIXED IND 3NH 324MA 245 MOHM SMD | Inchiesta |
|
HL022R7BTTR | AVX Corporation | FIXED IND 2.7NH 327MA 219 MOHM | Inchiesta |
|
HL021R5BTTR | AVX Corporation | FIXED IND 1.5NH 340MA 128 MOHM | Inchiesta |
 |
HL02506Z100R0JJ | Dale / Vishay | RES CHAS MNT 100 OHM 5% 25W | Inchiesta |
|
HL022R2BTTR | AVX Corporation | FIXED IND 2.2NH 334MA 178 MOHM | Inchiesta |
|
HL02506Z10K00JJ | Dale / Vishay | RES CHAS MNT 10K OHM 5% 25W | Inchiesta |
 |
HL02409Z1K500JJ | Dale / Vishay | RES CHAS MNT 1.5K OHM 5% 30W | Inchiesta |
|
HL023R3BTTR | AVX Corporation | FIXED IND 3.3NH 321MA 265 MOHM | Inchiesta |
|
HL024R7BTTR | AVX Corporation | FIXED IND 4.7NH 294MA 342 MOHM | Inchiesta |
|
HL021R1BTTR | AVX Corporation | FIXED IND 1.1NH 345MA 99 MOHM | Inchiesta |
|
HL023R9BTTR | AVX Corporation | FIXED IND 3.9NH 314MA 294 MOHM | Inchiesta |
|
HL021R8BTTR | AVX Corporation | FIXED IND 1.8NH 337MA 154 MOHM | Inchiesta |
|
HL022R0BTTR | AVX Corporation | FIXED IND 2NH 335MA 168 MOHM SMD | Inchiesta |
|
HL02270GTTR | AVX Corporation | FIXED IND 27NH 160MA 1.621 OHM | Inchiesta |
|
HL023R6BTTR | AVX Corporation | FIXED IND 3.6NH 311MA 280 MOHM | Inchiesta |
|
HL021R3BTTR | AVX Corporation | FIXED IND 1.3NH 342MA 113 MOHM | Inchiesta |
|
HL021R2BTTR | AVX Corporation | FIXED IND 1.2NH 343MA 107 MOHM | Inchiesta |
|
HL02320GTTR | AVX Corporation | FIXED IND 32NH 150MA 1.935 OHM | Inchiesta |
Latest Notizie
- Il piano di Micron di costruire una memoria di fabbrica, NAND Flash a prezzi o manutenzione elevati
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC
- Moels Micro Electronics ha creato nuovi uffici a Taiwan, in Cina per espandere il territorio degli affari
- Le prestazioni di Texas Instruments devono ancora essere potenziate e le due fabbriche di archiviazione spingono i nuovi prodotti di memoria flash