HIP4080AIBT è disponibile ora!La tecnologia LYNTEAM è il distributore di calza per HIP4080AIBT, abbiamo gli stock per la spedizione immediata e disponibili anche per un lungo periodo di rifornimento.Vi preghiamo di inviarci il tuo piano di acquisto per HIP4080AIBT via email, ti forniremo un prezzo migliore secondo il tuo piano.
Acquista HIP4080AIBT con LYNTEAM, salva i tuoi soldi e il tempo.
La nostra email: [email protected]
HIP4080AIBT
- Modello di prodotti:
- HIP4080AIBT
- fabbricante:
- Intersil
- Descrizione:
- IC DRIVER FULL BRIDGE FET 20SOIC
- Stato senza piombo:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- Quantità di magazzino:
- 52291 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- HIP4080AIBT.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Tensione di alimentazione -: | 9.5 V ~ 15 V |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 20-SOIC |
| Serie: | - |
| Tempo di salita / scadenza (Typ): | 10ns, 10ns |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Frequenza di ingresso: | 4 |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tensione logica - VIL, VIH: | 1V, 2.5V |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Tipo di ingresso: | Non-Inverting |
| Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap): | 95V |
| Tipo di porta: | N-Channel MOSFET |
| Configurazione guidata: | Half-Bridge |
| Descrizione dettagliata: | Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 20-SOIC |
| Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore): | 2.6A, 2.4A |
| Base-Emitter Tensione di saturazione (max): | Synchronous |
| Numero di parte base: | HIP4080A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per HIP4080AIBT
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
HIP2123FRTAZ-T | Intersil | IC HALF BRIDGE FET DRIVER 10TDFN | Inchiesta |
 |
HIP4080AIPZ | Intersil | IC DRIVER FET FULL BRIDGE 20DIP | Inchiesta |
|
HIP4081AIBZ | Intersil | IC DRIVER FET FULL BRIDGE 20SOIC | Inchiesta |
 |
HIP2122FRTBZ-T | Intersil | IC HALF BRIDGE FET DRIVER 9TDFN | Inchiesta |
|
HIP4080AIBZ | Intersil | IC DRIVER FULL-BRIDGE 20-SOIC | Inchiesta |
|
HIP4020IBZT | Intersil | IC DRIVER FULL-BRIDGE 20-SOIC | Inchiesta |
|
HIP4080AIB | Intersil | IC DRIVER FULL-BRIDGE 20-SOIC | Inchiesta |
|
HIP2123FRTBZ-T | Intersil | IC HALF BRIDGE FET DRIVER 9TDFN | Inchiesta |
|
HIP4081AIPZ | Intersil | IC DRIVER FET FULL BRIDGE 20DIP | Inchiesta |
|
HIP4081AIB | Intersil | IC DRIVER FULL-BRIDGE 20-SOIC | Inchiesta |
|
HIP4081AIBT | Intersil | IC DRIVER FULL BRIDGE FET 20SOIC | Inchiesta |
|
HIP2123FRTBZ | Intersil | IC HALF BRIDGE FET DRIVER 9TDFN | Inchiesta |
|
HIP4020IBZ | Intersil | IC DRIVER FULL-BRIDGE 20-SOIC | Inchiesta |
|
HIP4080AIP | Intersil | IC DRIVER FULL-BRIDGE 20-DIP | Inchiesta |
|
HIP4080AIBZT | Intersil | IC DRIVER FET FULL 80V 20-SOIC | Inchiesta |
|
HIP4081AIBZT | Intersil | IC DRIVER FET FULL 80V 20-SOIC | Inchiesta |
|
HIP4020IB | Intersil | IC DRIVER FULL-BRIDGE 20-SOIC | Inchiesta |
|
HIP4081AIP | Intersil | IC DRIVER FULL-BRIDGE 20-DIP | Inchiesta |
|
HIP2122FRTBZ | Intersil | IC HALF BRIDGE FET DRIVER 9TDFN | Inchiesta |
|
HIP2123FRTAZ | Intersil | IC HALF BRIDGE FET DRIVER 10TDFN | Inchiesta |
Latest Notizie
- Qorvo ha lanciato le eccezionali preliminari 5G MMIMO ad alto livello del settore
- Inventario del ciclo di simulazione Sottomarcia, Ai guida la domanda di memoria flash continua
- Il piano di Micron di costruire una memoria di fabbrica, NAND Flash a prezzi o manutenzione elevati
- Le prestazioni ADI sono ridotte, i substrati in lamina di rame sono aumentati, lo stoccaggio di fabbrica originale aumenta la produzione conservativa
- L'ondata di intelligenza nell'auto sta arrivando e Aimus Oslang ha aiutato Sagita Juguang a rilasciare MX Lidar
- La capacità di produzione di HBM è esclusa, la memoria DRAM potrebbe essere scarsa nella seconda metà dell'anno
- I fondatori di muro finiranno, HBM o farà risalire la DRAM
- Domanda di espansione di telefonia mobile e PC, miglioramento del settore della produzione di semiconduttori globali
- Comprendere le esigenze degli ADA e dei sistemi di monitoraggio della cabina per i sensori di immagine di sicurezza della rete
- Si dice che Samsung e SK Hynix abbiano fermato DDR3 e la citazione di promozione è aumentata del 20 %
- Melexis rilasciata MLX90427: controllo della linea a nuova scelta, sicuro, efficiente ed economico
- La relazione finanziaria di NXP e Ansonmei ha annunciato e il prezzo dei prezzi del rame viene trasmesso all'industria IC